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题目内容
（西安理工大学电力电子技术）
在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。
A.
GTR、IGBT
B.
GTO、电力MOSFET
C.
GTR、GTO、
D.
电力MOSFET、IGBT
A.
GTR、IGBT
B.
GTO、电力MOSFET
C.
GTR、GTO、
D.
电力MOSFET、IGBT
参考答案
