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西安交通大学--电子电工技术学习指南
集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻 ，带负载能力 。
在P型杂质半导体中，多数载流子是 ，少数载流子是
Ｎ型半导体主要靠 来导电，Ｐ型半导体主要靠 来导电。
.PN结具有 性，即加正向电压时，PN结 ，加反向电压时，PN结 。
半导体二极管的两个主要参数是
半导体二极管按其所使用的材料可分为 两类。
硅管的导通压降约为 V，锗管的导通压降约为 V。
硅管的死区电压约为 V，锗管的死区电压约为 V。
半导体二极管实质上就是一个 结，它具有的特性是 导电性。
半导体三极管分为 型和 型两类。
半导体三极管的结构分为三个区，分别是 区, 区, 区。
欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结 偏，同时使集电结 偏。
在放大电路中，晶体管的基极电流IB通常称为 电流，产生基极电流IB的电路称为 电路。
对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作动态分析时，应作该放大电路的 电路。
若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容引起输出信号失真，非线性失真分为 失真和 失真。
在P型杂质半导体中，多数载流子是 ，少数载流子是
Ｎ型半导体主要靠 来导电，Ｐ型半导体主要靠 来导电。
.PN结具有 性，即加正向电压时，PN结 ，加反向电压时，PN结 。
半导体二极管的两个主要参数是
半导体二极管按其所使用的材料可分为 两类。
硅管的导通压降约为 V，锗管的导通压降约为 V。
硅管的死区电压约为 V，锗管的死区电压约为 V。
半导体二极管实质上就是一个 结，它具有的特性是 导电性。
半导体三极管分为 型和 型两类。
半导体三极管的结构分为三个区，分别是 区, 区, 区。
欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结 偏，同时使集电结 偏。
在放大电路中，晶体管的基极电流IB通常称为 电流，产生基极电流IB的电路称为 电路。
对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作动态分析时，应作该放大电路的 电路。
若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容引起输出信号失真，非线性失真分为 失真和 失真。