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西安交通大学--电子电工技术学习指南
发射结处于反向偏置的晶体三极管，其一定是工作在截止状态。
在半导体中，自由电子和空穴都是载流子
在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。
一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2Ｖ和-6Ｖ，说明这个晶体三极管是PNP型锗管。
半导体中空穴带正电，电子带负电。
二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。
发光二极管在使用时必须加适当的正向电压才会发光。
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
二极管和三极管都具有明显的温度特性。
半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，硅和锗是最重要的两种半导体材料。
任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势和一个电阻串联来等效代替。
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体
在N型杂质半导体中，多数载流子是 ，少数载流子是 。
集成运放级间耦合方式是采用 耦合。
在半导体中，自由电子和空穴都是载流子
在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。
一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2Ｖ和-6Ｖ，说明这个晶体三极管是PNP型锗管。
半导体中空穴带正电，电子带负电。
二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。
发光二极管在使用时必须加适当的正向电压才会发光。
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
二极管和三极管都具有明显的温度特性。
半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，硅和锗是最重要的两种半导体材料。
任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势和一个电阻串联来等效代替。
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体
在N型杂质半导体中，多数载流子是 ，少数载流子是 。
集成运放级间耦合方式是采用 耦合。