注意：此页面搜索的是所有试题
佳木斯大学语言治疗学
在实际电路中二极管发生了击穿,必须更换二极管。( )
·正确
·错误
在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( )
·正确
·错误
直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,它只能放大直流信号。( )
·正确
·错误
选用差分电路的原因是( )。
·减小温漂
·稳定放大倍数
·减小失真
·提高输入电阻
某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应选( )。
·电流串联负反馈
·电流并联负反馈
·电压并联负反馈
·电压串联负反馈
根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为( )。
·NPN型低频大功率硅晶体管
·PNP型低频小功率锗晶体管
·NPN型低频小功率硅晶体管
·NPN型高频小功率硅晶体管
开关稳压电源比线性稳压电源效率高的原因是( )。
·输出端有LC滤波器
·可以不用电源变压器
·调整管工作在开关状态
·调整管工作在放大状态
场效应管放大电路的输入电阻,主要由( )决定。
·VGS。
·管子类型;
·gm;
·偏置电路;
在下列四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提高输人电阻的负反馈是( )。
·电流串联负反馈
·电流并联负反馈
·电压并联负反馈
·电压串联负反馈
变容二极管在电路中主要用作( )。
·稳压
·发光
·可变电容器
·整流
既提高输入电阻,又可稳定输出电压的反馈组态是( )。
·电流并联负反馈
·电流串联负反馈
·电压并联负反馈
·电压串联负反馈
下列场效应管中,无原始导电沟道的为( )。
·耗尽型NMOS管
·N沟道JFET
·增强~AIPMOS管
·耗尽型PMOS管
PN结形成后,空间电荷区由( )构成。
·杂质离子
·空穴
·价电子
·自由电子
在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为( )。
·U0=1.2U2
·U0=0.45U2
·U0=0.9U2
·U0=1.4U2
理想集成运放具有以下特点( )。
·开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞
·开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0
·开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞
·开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0
·正确
·错误
在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( )
·正确
·错误
直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,它只能放大直流信号。( )
·正确
·错误
选用差分电路的原因是( )。
·减小温漂
·稳定放大倍数
·减小失真
·提高输入电阻
某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应选( )。
·电流串联负反馈
·电流并联负反馈
·电压并联负反馈
·电压串联负反馈
根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为( )。
·NPN型低频大功率硅晶体管
·PNP型低频小功率锗晶体管
·NPN型低频小功率硅晶体管
·NPN型高频小功率硅晶体管
开关稳压电源比线性稳压电源效率高的原因是( )。
·输出端有LC滤波器
·可以不用电源变压器
·调整管工作在开关状态
·调整管工作在放大状态
场效应管放大电路的输入电阻,主要由( )决定。
·VGS。
·管子类型;
·gm;
·偏置电路;
在下列四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提高输人电阻的负反馈是( )。
·电流串联负反馈
·电流并联负反馈
·电压并联负反馈
·电压串联负反馈
变容二极管在电路中主要用作( )。
·稳压
·发光
·可变电容器
·整流
既提高输入电阻,又可稳定输出电压的反馈组态是( )。
·电流并联负反馈
·电流串联负反馈
·电压并联负反馈
·电压串联负反馈
下列场效应管中,无原始导电沟道的为( )。
·耗尽型NMOS管
·N沟道JFET
·增强~AIPMOS管
·耗尽型PMOS管
PN结形成后,空间电荷区由( )构成。
·杂质离子
·空穴
·价电子
·自由电子
在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为( )。
·U0=1.2U2
·U0=0.45U2
·U0=0.9U2
·U0=1.4U2
理想集成运放具有以下特点( )。
·开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞
·开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0
·开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞
·开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0