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新疆工程学院电力电子技术
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ）
(A) du/dt 抑制电路
(B) 抗饱和电路
(C) di/dt 抑制电路
(D) 吸收电路
IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ）
(A) GTR 驱动的 MOSFET
(B) MOSFET 驱动的GTR
(C) MOSFET 驱动的晶闸管
(D) MOSFET 驱动的GTO
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