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佳木斯大学语言治疗学
当温度升高时,半导体的导电能力将( )。
·增强
·减弱
·不变
·不能确定
在本征半导体中导电载流子有( )种。
·1
·2
·3
·4
N型半导体中自由电子的浓度和空穴的浓度之间的关系为( )。
·自由电子的浓度远高于空穴的浓度
·无法确定
·自由电子的浓度小于空穴的浓度
·两者相等
某工作在放大状态的晶体管,测出其三个电极X,Y,Z的电位分别为:0V,-10V,-9.3V,可知此三极管为( )。
·NPN 型硅管
·NPN 型锗管
·PNP 型硅管
·PNP 型锗管
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入1 kΩ负载电阻后输出电压降为1V,则该放大电路的输出电阻为( )。
·1.5 kΩ
·1 kΩ
·0.25 kΩ
·3 kΩ
与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。
·输入电阻高,输出电阻低
·输入电阻低,输出电阻高
·输入,输出电阻都很高
·输入,输出电阻都很低
分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容因损坏而断开,则该电路的电压放大倍数将( )。
·变小
·变大
·不变
·无法确定
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( )。
·10kΩ
·4kΩ
·8kΩ
·1kΩ
工作在放大状态的三极管应满足( )。
·发射结、集电结均正向偏置
·发射结、集电结均反向偏置
·发射结正向偏置、集电结反向偏置
·发射结反向偏置、集电结正向偏置
对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。
·尽可能高的电压放大倍数
·尽可能大的功率输出
·尽可能小的零点漂移
·尽可能高的电流放大倍数
集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )。
·可获得很大的放大倍数
·可使温漂小
·集成工艺难于制造大容量电容
·带负载能力强
甲乙类功率放大电路,在理想情况下的最高效率只能达到( )。
·0.25
·0.5
·0.785
·0.65
对于放大电路,所谓开环是指( )。
·无信号源
·无反馈通路
·无电源
·无负载
如图所示电路,电路引入的反馈为( )交流负反馈。
·电压并联
·电压串联
·电流串联
·电流并联
已知运放构成的电压串联负反馈放大电路的反馈系数F = 0.05,则估算其电压放大倍数为( )。
·50
·20
·10
·40
·增强
·减弱
·不变
·不能确定
在本征半导体中导电载流子有( )种。
·1
·2
·3
·4
N型半导体中自由电子的浓度和空穴的浓度之间的关系为( )。
·自由电子的浓度远高于空穴的浓度
·无法确定
·自由电子的浓度小于空穴的浓度
·两者相等
某工作在放大状态的晶体管,测出其三个电极X,Y,Z的电位分别为:0V,-10V,-9.3V,可知此三极管为( )。
·NPN 型硅管
·NPN 型锗管
·PNP 型硅管
·PNP 型锗管
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入1 kΩ负载电阻后输出电压降为1V,则该放大电路的输出电阻为( )。
·1.5 kΩ
·1 kΩ
·0.25 kΩ
·3 kΩ
与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。
·输入电阻高,输出电阻低
·输入电阻低,输出电阻高
·输入,输出电阻都很高
·输入,输出电阻都很低
分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容因损坏而断开,则该电路的电压放大倍数将( )。
·变小
·变大
·不变
·无法确定
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( )。
·10kΩ
·4kΩ
·8kΩ
·1kΩ
工作在放大状态的三极管应满足( )。
·发射结、集电结均正向偏置
·发射结、集电结均反向偏置
·发射结正向偏置、集电结反向偏置
·发射结反向偏置、集电结正向偏置
对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。
·尽可能高的电压放大倍数
·尽可能大的功率输出
·尽可能小的零点漂移
·尽可能高的电流放大倍数
集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )。
·可获得很大的放大倍数
·可使温漂小
·集成工艺难于制造大容量电容
·带负载能力强
甲乙类功率放大电路,在理想情况下的最高效率只能达到( )。
·0.25
·0.5
·0.785
·0.65
对于放大电路,所谓开环是指( )。
·无信号源
·无反馈通路
·无电源
·无负载
如图所示电路,电路引入的反馈为( )交流负反馈。
·电压并联
·电压串联
·电流串联
·电流并联
已知运放构成的电压串联负反馈放大电路的反馈系数F = 0.05,则估算其电压放大倍数为( )。
·50
·20
·10
·40