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欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为( )。
· 4
· 2
· 3
· 8
确定一个正弦量的三要素为( )。
·瞬时值、周期、初相
·最大值、角频率、初相
·最大值、周期、相位差
·瞬时值、角频率、相位差
在纯电感电路中,下列关系式正确的为( )。
·
·
·
·
有两个电阻R1和R2,且R1=2R2,其消耗的功率为P1和P2,若将他们并联在电路中,则( )。
·P1>P2
·P1＜P2</p2<>
·P1=P2
·由通过电流大小而定
当三极管的发射结正偏、集电结反偏时,三极管处于( )。
·饱和状态
·放大状态
·截止状态
·不确定
电路的暂态过程从t=0大致经过( )时间,就可以认为到达稳定状态了。
·
·
·
在直流稳态时,电感元件上( )
·有电流,有电压
·有电流,无电压
·无电流,无电压
·无电流,有电压
求一个逻辑函数F的对偶式,可将F中的( )。
· “·”换成“+”,“+”换成“·”
· 原变量换成反变量,反变量换成原变量
· 变量不变
· 常数中“0”换成“1”,“1”换成“0”
CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是( )
· 微功耗
· 高速度
· 高抗干扰能力
· 电源范围宽
三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可( )。
· 降低饱和深度
· 增加饱和深度
· 采用有源泄放回路
· 采用抗饱和三极管
用若干RAM实现位扩展时,其方法是将( )相应地并联在一起。
· 地址线
· 数据线
· 片选信号线
· 读/写线
函数F(A,B,C)=AB+BC+AC的最小项表达式为( )。
·F(A,B,C)=∑m(0,2,4)
·(A,B,C)=∑m(3,5,6,7)
·F(A,B,C)=∑m(0,2,3,4)
·F(A,B,C)=∑m(2,4,6,7)
运算放大器中,“虚地”的概念只存在于( )
·反相比例放大器中
·同相比例放大器中
·差动放大器中
·比较器中
集成运放工作在线性放大区,由理想工作条件得出两个重要规律是( )。
· U+=U-=0,i+=i-;
·U+=U-=0,i+=i-=0;
·U+=U-,i+=i-=0;
·U+=U-=0,i+≠i-。
共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路( )的能力。
·放大差模抑制共模
·输入电阻高
·输出电阻低
· 4
· 2
· 3
· 8
确定一个正弦量的三要素为( )。
·瞬时值、周期、初相
·最大值、角频率、初相
·最大值、周期、相位差
·瞬时值、角频率、相位差
在纯电感电路中,下列关系式正确的为( )。
·
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有两个电阻R1和R2,且R1=2R2,其消耗的功率为P1和P2,若将他们并联在电路中,则( )。
·P1>P2
·P1＜P2</p2<>
·P1=P2
·由通过电流大小而定
当三极管的发射结正偏、集电结反偏时,三极管处于( )。
·饱和状态
·放大状态
·截止状态
·不确定
电路的暂态过程从t=0大致经过( )时间,就可以认为到达稳定状态了。
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在直流稳态时,电感元件上( )
·有电流,有电压
·有电流,无电压
·无电流,无电压
·无电流,有电压
求一个逻辑函数F的对偶式,可将F中的( )。
· “·”换成“+”,“+”换成“·”
· 原变量换成反变量,反变量换成原变量
· 变量不变
· 常数中“0”换成“1”,“1”换成“0”
CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是( )
· 微功耗
· 高速度
· 高抗干扰能力
· 电源范围宽
三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可( )。
· 降低饱和深度
· 增加饱和深度
· 采用有源泄放回路
· 采用抗饱和三极管
用若干RAM实现位扩展时,其方法是将( )相应地并联在一起。
· 地址线
· 数据线
· 片选信号线
· 读/写线
函数F(A,B,C)=AB+BC+AC的最小项表达式为( )。
·F(A,B,C)=∑m(0,2,4)
·(A,B,C)=∑m(3,5,6,7)
·F(A,B,C)=∑m(0,2,3,4)
·F(A,B,C)=∑m(2,4,6,7)
运算放大器中,“虚地”的概念只存在于( )
·反相比例放大器中
·同相比例放大器中
·差动放大器中
·比较器中
集成运放工作在线性放大区,由理想工作条件得出两个重要规律是( )。
· U+=U-=0,i+=i-;
·U+=U-=0,i+=i-=0;
·U+=U-,i+=i-=0;
·U+=U-=0,i+≠i-。
共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路( )的能力。
·放大差模抑制共模
·输入电阻高
·输出电阻低