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佳木斯大学语言治疗学
输入电阻输出电阻和( )是放大器的主要性能指标。
· 电压放大倍数
· 电源
· 功率
直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和( )。
· 温度升高
· 零点漂移
· 功率输出增大
单极型半导体器件是( )。
·二极管;
·双极型三极管;
·场效应管;
·稳压管。
测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V.VB=2.8V.VC=4.4V.说明此三极管处在( )。
·放大区;
·饱和区;
·截止区;
·反向击穿区。
若使三极管具有电流放大能力.必须满足的外部条件是( ) 。
·发射结正偏、集电结正偏;
·发射结反偏、集电结反偏;
·发射结正偏、集电结反偏;
·发射结反偏、集电结正偏。
采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有( )。
· 10行10列
· 5行5列
· 32行32列
· 1024行1024列
一个无符号4位权电阻DAC,最低位处的电阻为40KΩ,则最高位处电阻为( )。
· 4KΩ
· 5KΩ
· 10KΩ
· 20KΩ
只读存储器ROM在运行时具有( )功能。
· 读/无写
· 无读/写
· 读/写
· 无读/无写
只读存储器ROM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容( )。
· 全部改变
· 全部为0
· 不可预料
· 保持不变
运算放大器中,“虚地”的概念只存在于( )。
·反相比例放大器中
·同相比例放大器中
·差动放大器中
·比较器中
基本放大电路中的主要放大对象是( )。
·直流信号;
·交流信号;
·交直流信号均有。
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( ) 。
·非饱和区
·饱和区
·截止区
·击穿区
PN结加适量反向电压时,空间电荷区将( )。
·变宽
·变窄
·不变
·消失
负反馈所能抑制的干扰和噪声是( )。
·输入信号所包含的干扰和噪声;
·反馈环内的干扰和噪声;
·反馈环外的干扰和噪声;
·所有干扰和噪声。
具有磁性的物质为( )。
·铜和铝
·空气和水
·橡胶和塑料
·钢和铁
· 电压放大倍数
· 电源
· 功率
直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和( )。
· 温度升高
· 零点漂移
· 功率输出增大
单极型半导体器件是( )。
·二极管;
·双极型三极管;
·场效应管;
·稳压管。
测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V.VB=2.8V.VC=4.4V.说明此三极管处在( )。
·放大区;
·饱和区;
·截止区;
·反向击穿区。
若使三极管具有电流放大能力.必须满足的外部条件是( ) 。
·发射结正偏、集电结正偏;
·发射结反偏、集电结反偏;
·发射结正偏、集电结反偏;
·发射结反偏、集电结正偏。
采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有( )。
· 10行10列
· 5行5列
· 32行32列
· 1024行1024列
一个无符号4位权电阻DAC,最低位处的电阻为40KΩ,则最高位处电阻为( )。
· 4KΩ
· 5KΩ
· 10KΩ
· 20KΩ
只读存储器ROM在运行时具有( )功能。
· 读/无写
· 无读/写
· 读/写
· 无读/无写
只读存储器ROM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容( )。
· 全部改变
· 全部为0
· 不可预料
· 保持不变
运算放大器中,“虚地”的概念只存在于( )。
·反相比例放大器中
·同相比例放大器中
·差动放大器中
·比较器中
基本放大电路中的主要放大对象是( )。
·直流信号;
·交流信号;
·交直流信号均有。
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( ) 。
·非饱和区
·饱和区
·截止区
·击穿区
PN结加适量反向电压时,空间电荷区将( )。
·变宽
·变窄
·不变
·消失
负反馈所能抑制的干扰和噪声是( )。
·输入信号所包含的干扰和噪声;
·反馈环内的干扰和噪声;
·反馈环外的干扰和噪声;
·所有干扰和噪声。
具有磁性的物质为( )。
·铜和铝
·空气和水
·橡胶和塑料
·钢和铁