注意：此页面搜索的是所有试题
题目内容 （西安理工大学电力电子技术）

IGBT是电力MOSFET和（）的复合器件，因而具有良好的特性。

A.
晶闸管

B.
GTR


C.
GTO

D.
二极管

参考答案

随机试卷
郑州航空工业管理学院继续教育学院-三维造型与应用2020
辽宁师范大学-现代汉语
平顶山学院-财政与金融
西安理工大学-机械设计制造及其自动化-工程力学 作业3
四川农业大学马克思主义基本原理概论
国家开放大学学前游戏理论与指导
黑龙江能源职业学院-矿图与CAD（高起专）
信阳师范弹性力学及有限元分析
河南农业大学森林资源利用学
心理学