注意：此页面搜索的是所有试题
题目内容 （西安理工大学电力电子技术）

IGBT是电力MOSFET和（）的复合器件，因而具有良好的特性。

A.
晶闸管

B.
GTR


C.
GTO

D.
二极管

参考答案

随机试卷
东北农业大学毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论
太原师范学院毛泽东思想与中国特色社会主义理论体系概论(专升本)
河北广播电视大学-数据库基础与应用
平顶山学院-国际市场营销(专升本)
河南农业大学统计学原理测试
江苏开放大学学前儿童家庭与社区教育作业3
青岛理工大学大学语文
华北水利水电大学-工程测量
乐山师范学院自然科学概论
延安大学电脑组装与测试(高起专)