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题目内容
（周口师范学院半导体物理学）
[单选题,4分] Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
A.点阵中的金属原子空位
B.点阵中的原子间隙
C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷
D.一种在禁带中引入受主能级的位错
A.点阵中的金属原子空位
B.点阵中的原子间隙
C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷
D.一种在禁带中引入受主能级的位错
参考答案
