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题目内容
（河南工程学院电力电子技术）
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用
(A) du/dt抑制电路
(B) 抗饱和电路
(C) di/dt抑制电路
(D) 吸收电路
(A) du/dt抑制电路
(B) 抗饱和电路
(C) di/dt抑制电路
(D) 吸收电路
参考答案
