题库网
  • 首页
  • 所有科目
  • 关于本站
  • 账号设置 退出登录
    注册 登录
注意:此页面搜索的是所有试题
题目内容 (兰州理工大学模拟电子技术)
若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS 大于零,则其输入电阻会明显变小。( )

参考答案


随机试卷
河北建筑工程学院-中国近现代史纲要.
乐山师范学院电子工艺技能
兰州财经大学-会计学基础
江苏开放大学工程估价作业1
国家开放大学审美入门
中级无机化学
西华大学大学英语(二)
陕西中医药大学--中医伤科学
信阳师范学院-伦理学
齐齐哈尔医学院-形式与政策
赣ICP备2023009414号-1