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题目内容
（乐山师范学院半导体物理学及实验）
3、 一个零偏压下的PN结电容,每单位面积的耗尽层电容 ,硅的介电常数 为 ,则耗尽层 宽度是A135um. B.125um C.135um D125um
参考答案
