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晶闸管直流电动机系统中，输出电流断续会使电机的机械特性变硬。A.对B.错

IGBT是电力MOSFET和（）的复合器件，因而具有良好的特性。A.晶闸管B.GTRC.GTOD.二极管

功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用（）型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。A.双向二极管B.普通二极管C.功率二极管D.快速二极管

单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A.90°~180°B.0°~90°C.180°~360°D.0°~180°

晶闸管单相电流逆变器的换流方式为.()A.器件换流B.强迫换流C.电网换流D.负载换流

控制角α与逆变角β之间的关系应该是()。A.α〉βB.a=βC.α〈βD.α+β=180°

电流逆变器中间直流环节贮能元件是（）A.电感B.电阻C.电容D.电动机

逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成()A.可关断晶闸管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.大功率三极管

下面不能实现有源逆变的电路是()。A.半波可控电路B.全波可控电路C.共阳极三相半波可控电路D.带续流二极管的单相桥式可控电路

对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关()A.α角、U2以及变压器漏抗XBB.α角、负载电流Id以及变压器漏抗X

电力电子器件的损耗主要为：通态损耗、断态损耗和（）损耗。A.开关损耗B.负载损耗C.电机损耗D.线路损耗

有源逆变电路，负载中电动势的极性应与晶闸管的导通方向一致，其值应大于交流电路直流侧的平均电压，另外α角的要求是（）。A.α>π/2B.α=π/2C.α<π/2D.α=π

晶闸管的通态平均电流IT(AV)是指：()A.最大允许通过工频正弦半波电流的有效值。B.最大允许通过工频正弦半波电流的平均值。C.最大允许通过任意波形电流的平均值。

三相半波全控整流电路，电阻性负载，控制角α的移相范围是()。A.1500B.1800C.900D.600

电压型逆变器换流时，同一桥臂上下器件的驱动应留有死区。

共阴极三相半波可控整流电路的自然换相点是()A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°

180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在两不同相的上、下二个开关元件之间进行。

电流型逆变电路的特点是：直流侧接（），开关器件不反并联二极管，输出电流波形为矩形波。A.三极管B.二极管C.大电感D.大电容

电力电子器件的驱动一般可分为电流型驱动和（）型驱动。A.电子B.电动C.电力D.电压

单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（）A.B./2C.D.

快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）A.功率MOSFETB.IGBTC.晶闸管D.功率晶体管

PWM控制中的载波比表达式为N=fc/fr。A.错B.对

晶闸管并联时，给每只管子串联相同小电抗器是（）措施。A.均流B.动态均压C.静态均压D.不定

在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。A.GTR、IGBTB.GTO、电力MOSFETC.GTR、GTO、D.电力MOSFET、IGBT

单相交交变频电路由输出电压方向决定正组桥工作或反组桥工作，工作在逆变状态，则是根据（）确定。A.电流方向B.电流、电压不同向C.电流、电压同向D.电压方向

不适于电网换流的电路是（）A.可控硅整流电路B.有源逆变电路C.无源逆变电路D.交流调压电路

当晶闸管承受反向电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）。A.关断状态B.不定C.饱和状态D.导通状态

SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和（）A.四极性B.多极性C.三极性D.单极性

在整流电路中，由于变压器漏抗的影响，出现换相重叠角γ，此时输出电压平均值Ud()。A.增大B.不变C.降低

三相桥式全控整流电路中需保证同时导通的2个晶闸管均有脉冲，一般常用（）触发。A.1脉冲B.4脉冲C.双窄脉冲D.3脉冲